全球第三大半导体存储器公司美光科技发布了其截至11月28日的2025财年第一财季财报。数据显示，公司在该财季实现营收87.1亿美元，同比大幅增长84%，这一成绩完全符合市场预期。然而，尽管营收表现出色，美光科技对未来却持悲观态度，引发了市场的广泛关注。
美光科技在第一财季实现了扭亏为盈，净利润达到18.7亿美元，毛利率也有所提升。公司表示，这一业绩的取得主要得益于数据中心业务的强劲增长，该业务营收同比增长了400%，并首次超过了公司整体收入的50%。此外，HBM（高带宽内存）业务的放量以及存储产品价格的上涨也推动了公司营收和利润的提升。
然而，美光科技对下一财季的业绩展望却显得颇为悲观。公司预计第二财季营收将在79亿至81亿美元之间，环比下滑约9%，显著低于分析师预期的90亿美元。同时，第二财季的毛利率预计为36.5%至38.5%，也低于市场一致预期的41.3%。
美光HBM3E 8H/12H展现强劲动力，引领高带宽内存新时代
全球领先的半导体解决方案供应商美光科技宣布，其最新推出的HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）8H和12H产品系列，以卓越的性能和能效，正引领高带宽内存市场进入一个全新的发展阶段。
美光HBM3E 8H和12H产品系列采用了先进的1β（1-beta）工艺制造，拥有高达24GB（8H）和36GB（12H）的超大容量，相较于上一代产品，容量提升了50%。这一显著提升使得数据中心能够无缝扩展其不断增长的人工智能工作负载，无论是训练大规模神经网络还是加速推理任务，都能提供必要的内存带宽。
在性能方面，美光HBM3E 8H和12H产品系列展现了令人瞩目的实力。它们提供了超过1.2 TB/s的内存带宽，引脚速度超过9.2 Gb/s，为人工智能加速器、超级计算机和数据中心提供了闪电般的数据访问速度。这一卓越的性能表现，得益于美光在硅通孔（TSV）和封装互连技术上的创新，使得数据路径更短，能效更高。
除了卓越的性能，美光HBM3E 8H和12H产品系列在能效方面也表现出色。与竞品相比，美光HBM3E的功耗降低了约30%，在提供最大吞吐量的前提下，将功耗降至最低，有效降低了数据中心的运营成本。这一优势使得美光HBM3E成为数据中心和人工智能应用领域的理想选择。
此外，美光HBM3E 12H还集成了完全可编程的内存内置自检（MBIST）系统，能够以全规格速度运行系统代表性流量，为加快验证提供了更好的测试覆盖范围，从而加快了产品上市时间，并提高了系统可靠性。这一功能大大缩短了人工智能系统的研发周期，使得更稳定的产品可以更快地推向市场。
美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示：“美光凭借HBM3E里程碑实现了三重成就：上市时间领先、一流的行业性能和差异化的能效特性。AI工作负载严重依赖内存带宽和容量，而美光已做好充分准备，通过我们行业领先的HBM3E和HBM4路线图，以及我们面向AI应用的完整DRAM和NAND解决方案组合，支持未来AI的显著增长。”
据悉，美光HBM3E 8H产品已经成功搭载于NVIDIA H200 Tensor Core GPU中，并计划于2024年第二季度开始发货。而12H产品也正在接受多项客户资格认证，预计将在未来不久内正式上市。
美光HBM3E 8H/12H产品系列的强劲动力，不仅展现了美光在半导体技术领域的领先地位，更为数据中心和人工智能应用领域的发展注入了新的活力。随着市场对高带宽内存需求的不断增长，美光HBM3E 8H/12H产品系列有望成为推动行业发展的重要力量。
美光2025财年资本支出预计达140亿美元，加速技术创新与产能扩张
全球领先的半导体解决方案供应商美光科技公司（Micron Technology, Inc.）宣布，其2025财年的资本支出预算将达到约140亿美元，旨在加速技术创新、扩大产能，并巩固其在全球半导体市场的领先地位。
据悉，美光2025财年的资本支出将主要用于以下几个方面：
一、支持高带宽内存（HBM）的产能建设。HBM作为新一代高性能内存技术，在人工智能、数据中心等高端应用领域具有广阔的市场前景。美光将加大在HBM技术研发和产能扩张方面的投入，以满足市场对高性能内存不断增长的需求。
二、先进包装设施扩充。随着半导体技术的不断发展，先进封装技术已成为提升芯片性能和降低成本的重要手段。美光将投资扩建先进包装设施，以提升封装技术的水平和产能，为客户提供更优质的半导体解决方案。
三、研发投资。美光将继续加大在研发方面的投入，推动半导体技术的不断创新和升级。通过持续的研发投入，美光将不断提升产品的性能和可靠性，满足市场对高品质半导体产品的需求。
四、新厂建设。为了满足未来市场对半导体产品的需求，美光将投资建设新的半导体制造工厂。这些新厂将采用先进的生产工艺和设备，提高生产效率和产品质量，为美光的持续增长提供有力支持。
此外，美光还与美国商务部达成了协议，根据《芯片与科学法案》获得高达61亿美元的奖励，以支持其在爱达荷州和纽约州的先进DRAM制造工厂项目。同时，美光还与新加坡政府达成协议，将在新加坡建设先进的HBM封测设施，以支持AI时代的增长需求，并满足未来NAND制造长周期需求规划。
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